inter快速存储驱动更新(bios里Intel快速存储技术)

英特尔??全面的内存接口设计解决方案可化解当前高速内存接口面临的挑战。

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英特尔?? Stratix?? 10 设备提供内存接口支持,包括串行和并行接口。

具体而言,英特尔推出的解决方案支持各种主流 SDRAM 和 SRAM 内存协议及封装内存技术,如高带宽内存 (HBM)。我们的内存接口解决方案包括高性能内存控制器选项、内存 PHY 选项和多端口前端选项。这些解决方案支持纠错码 (ECC)。

并行内存接口:

英特尔?? Stratix?? 10 设备为 DDR4 SDRAM 提供了高达 2,666 Mbps 的并行内存接口支持,并支持下列多种其他协议。

硬内存控制器实现了高性能和低功耗,包括以下支持:

· DDR4。

· DDR3 / DDR3L。

· LPDDR3。

软控制器能够灵活地支持多种内存接口标准,包括:

· RLDRAM 3。

· QDR II / QDR II Xtreme / QDR IV。

· 特定英特尔?? 傲腾?? 数据中心级持久内存

借助强化内存控制器,英特尔?? Agilex?? 和英特尔?? Stratix?? 10 FPGA 和系统芯片各自可在 10 纳米和 14 纳米节点上为内存接口提供高性能。相比软内存控制器选项,这些硬内存控制器具有多种优势,包括:

缩短工程设计周期并加快上市速度,因为在强化逻辑中,时间是预先结束的

节省用户逻辑资源

进一步改进 fMAX、效率和延迟等方面性能

支持功耗更低的内存接口解决方案

英特尔?? Arria?? 10、Arria V 和 Cyclone?? V FPGA 也支持硬内存接口。

英特尔?? FPGA 支持的外部内存接口

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